| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4936CDY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4936CDY-T1-GE3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.8A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 5A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：325pF @ 15V 功率 - 最大：2.3W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 面板指示器，指示灯FLP25R5.5-SUR Card EdgeESM10DRMH 配件NSJ8-TV01B-M3D 芯片电阻 - 表面RL3720S-R47-F 芯片电阻 - 表面RG3216P-2742-D-T5 芯片电阻 - 表面RG1608P-2150-P-T1 TVS - 变阻器S20K60 微調器EVN-DJAA03B55 芯片电阻 - 表面RG3216V-8450-B-T5 Mica 和 PTMCM01-010DF430J-F |
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